Алматы

Жад тақтайшасы 3 негізгі форм-факторға бөлінеді, бірақ бір форм-фактордың тақтайшалары контактілер санында (pin) әр түрлі болуы мүмкін. ЖЖҚ форм-факторы аналық тақшадағы ағытпаға сәйкес келуі керек. SO – DIMM – портативті құрылғыларға арналған кішірейтілген жад тақтайшалары: ноутбуктер мен планшеттер. MicroDIMM шағын ноутбуктерде қолданылады және SO-DIMM-ге қарағанда кішірек болады. DIMM - стандартты өлшемді жад тақтайшасы.

Форм-факторы

Топтама

DDR4 - 2014 жылдан бері қолданылып келе жатқан көп таралған формат. Ол өткізу қабілеттілігін арттыру және энергияны тұтынуды азайту арқылы жоғары өнімділікке ие. DDR3 ескірген модельдерде жиі кездеседі және 2007 жылдан бастап шығарылып келеді. DDR3-те DDR2-ге қарағанда екі есе деректерді беру, қуат тұтынудың төмендігі және өнімділіктің жақсаруы бар. DDR3L кернеуі 1.35 В шинадан қуат алады, соның арқасында оның қуат тұтынуы төмендейді.

Жад түрі

Операциялық жүйе, процессор және аналық тақша барлық орнатылған жад модульдерін қамтитын жедел жадтың белгілі бір көлемін ғана қолдайды. Кеңсе қосымшаларымен жұмыс істеу үшін 2-4 ГБ жедел жады жеткілікті, ресурстарды қажет ететін ойындар мен ауыр қосымшалар үшін жедел жадтың ең төмен мөлшері 6-8 ГБболуы керек.

Көлемі, ГБ

Тауардың UID

Жинақта әр түрлі конфигурациядағы бір немесе бірнеше жад тақтайшасы болуы мүмкін: мысалы, 16 ГБ бір тақтайша немесе 8 ГБ екі тақтайша.

Жад құрылымдамасы

Өндіруші

Негізінен қазіргі компьютерлерде DDR4 және кейде DDR3 типті жад қолданылады. DDR4 өнімдірек болып саналады, өйткені ол жад модульдеріне қатарлас қол жеткізуді қолдайды, сонымен қатар қуат тұтынуды азайтады. Жедел жад жиілігі неғұрлым жоғары болса, өнімділік соғұрлым жақсы болады. Әдетте екі еселенген жиілік көрсетіледі, өйткені жедел жад екі әрекетті бір сағат ішінде өңдейді.

Жиілік және өткізу қабілеті

Жинақта бір немесе бірнеше жад тақтайшалары болуы мүмкін. Мұндай жағдайда жадтың жалпы көлемі жиынтықтағы олардың санына көбейтілген әр тақтайшаның жад көлеміне тең болады.

Жиынтықтағы модульдер саны

Негізгі сипаттамалары

Процессордың деректерді сұратудан осы деректермен бірінші ұяшыққа жеткенге дейін өтетін уақыт. Бұл сан неғұрлым аз болса, соғұрлым жақсы деп саналады.

CAS Latency (CL)

RAS жад ұяшығының жол мекенжайын анықтау мен CAS бағанының мекенжайын анықтау арасындағы кідіріс. Бұл сан неғұрлым аз болса, соғұрлым жақсы деп саналады.

RAS to CAS Delay (tRCD)

Келесі жолды инициализациялау сигналын беру үшін жиналатын зарядтың ең аз уақыты. Бұл сан неғұрлым аз болса, соғұрлым жақсы деп саналады.

Row Precharge Delay (tRP)

Тайминг

Жедел жадтың кернеуі аналық платамен қамтамасыз етілуі керек.