Алматы

Напряжение питания оперативной памяти должно поддерживаться материнской платой.

Напряжение питания, В

Прочие характеристики

Планки памяти делятся на 3 основных форм-фактора, но при этом планки одного и того же форм-фактора могут отличаться по количеству контактов (pin). Форм-фактор ОЗУ должен соответствовать разъему на материнской плате. SO-DIMM – планки памяти уменьшенного размера для портативных устройств: ноутбуков и планшетов. MicroDIMM применяется в небольших ноутбуках и имеет меньшие размеры, чем SO-DIMM. DIMM – планка памяти стандартного размера.

Форм-фактор

Серия

DDR4 - распространенный формат, существующий с 2014 года. Отличается высокой производительностью за счет увеличения пропускной способности и сниженным энергопотреблением. DDR3 чаще встречается на устаревших моделях и выпускается с 2007 года. DDR3 имеет удвоенную передачу данных, сниженное энергопотребление и улучшенную производительность по сравнению с DDR2. DDR3L получает питание от шины напряжением 1.35 В, за счет чего снижается ее энергопотребление.

Тип памяти

Операционная система, процессор и материнская плата поддерживают только определенный объем оперативной памяти, включающий все установленные модули памяти. Для работы с офисными приложениями достаточно 2-4 ГБ оперативной памяти, для ресурсоемких игр и тяжелых приложений минимальный объем оперативной памяти должен составлять 6-8 ГБ.

Объём, ГБ

В комплекте могут быть как одна, так и несколько планок памяти различной конфигурации: например, 1 планка объемом 16 ГБ или 2 по 8 ГБ.

Конфигурация памяти

В основном в современных компьютерах используется память типа DDR4 и иногда DDR3. DDR4 считается более производительной, так как поддерживает параллельный доступ к модулям памяти, а также обладает сниженным энергопотреблением. Чем выше частота оперативной памяти, тем лучше производительность. Обычно указывается удвоенная частота, так как ОЗУ обрабатывает две операции за один такт.

Частота и пропускная способность

Основные характеристики

Время, выраженное в тактах, которое проходит от запроса данных процессором до достижения первой ячейки с этими данными. Считается, что чем меньше это число, тем лучше.

CAS Latency (CL)

Задержка между идентификацией адреса строки ячейки памяти RAS и идентификацией адреса столбца CAS. Считается, что чем меньше это число, тем лучше.

RAS to CAS Delay (tRCD)

Минимальное время, за которое накапливается заряд для подачи сигнала иницализации следующей строки. Считается, что чем меньше это число, тем лучше.