Алматы

XMP – технология разгона памяти от Intel с заранее созданными профилями разгона, протестированными в заводских условиях. Является безопасным и наиболее простым способом увеличения частоты памяти.

Поддержка XMP

Напряжение питания оперативной памяти должно поддерживаться материнской платой.

Напряжение питания, В

OEM – стандартная заводская упаковка для безопасной транспортировки. RTL – красочная упаковка, иногда в комплекте может быть диск с драйверами и аксессуары. BOX – картонная упаковка, часто без документов.

Упаковка

Память может иметь 1, 2 и больше ранков (рангов). Это значит, что на одном физическом модуле распаяно несколько логических, поочередно пользующихся одним каналом памяти. Это нужно в основном для достижения максимального объема оперативной памяти в машинах с небольшим количеством слотов.

Количество ранков

Мощные планки оперативной памяти с высокой частотой могут нагреваться во время работы. Для их охлаждения корпус памяти имеет специальную конструкцию, эффективно отводящую тепло.

Радиатор охлаждения

Прочие характеристики

Планки памяти делятся на 3 основных форм-фактора, но при этом планки одного и того же форм-фактора могут отличаться по количеству контактов (pin). Форм-фактор ОЗУ должен соответствовать разъему на материнской плате. SO-DIMM – планки памяти уменьшенного размера для портативных устройств: ноутбуков и планшетов. MicroDIMM применяется в небольших ноутбуках и имеет меньшие размеры, чем SO-DIMM. DIMM – планка памяти стандартного размера.

Форм-фактор

Серия

DDR4 - распространенный формат, существующий с 2014 года. Отличается высокой производительностью за счет увеличения пропускной способности и сниженным энергопотреблением. DDR3 чаще встречается на устаревших моделях и выпускается с 2007 года. DDR3 имеет удвоенную передачу данных, сниженное энергопотребление и улучшенную производительность по сравнению с DDR2. DDR3L получает питание от шины напряжением 1.35 В, за счет чего снижается ее энергопотребление.

Тип памяти

Модель

Операционная система, процессор и материнская плата поддерживают только определенный объем оперативной памяти, включающий все установленные модули памяти. Для работы с офисными приложениями достаточно 2-4 ГБ оперативной памяти, для ресурсоемких игр и тяжелых приложений минимальный объем оперативной памяти должен составлять 6-8 ГБ.

Объём, ГБ

UID товара

В комплекте могут быть как одна, так и несколько планок памяти различной конфигурации: например, 1 планка объемом 16 ГБ или 2 по 8 ГБ.

Конфигурация памяти

Производитель

Чем выше тактовая частота, тем больше операций за отрезок времени способна обработать память и выше производительность компьютера.

Тактовая частота, МГц

В основном в современных компьютерах используется память типа DDR4 и иногда DDR3. DDR4 считается более производительной, так как поддерживает параллельный доступ к модулям памяти, а также обладает сниженным энергопотреблением. Чем выше частота оперативной памяти, тем лучше производительность. Обычно указывается удвоенная частота, так как ОЗУ обрабатывает две операции за один такт.

Частота и пропускная способность

Пропускная способность – количество информации, которую память способна принять или передать за единицу времени. В основном этот параметр необходим при сборке высокопроизводительных систем. Считается, что чем он выше, тем лучше, но и выше цена.

Пропускная способность, Мбайт/сек

В комплекте могут быть как одна, так и несколько планок памяти. В таком случае общий объем памяти будет равен объему памяти каждой планки, умноженному на их количество в комплекте.

Количество модулей в комплекте

Основные характеристики

Высота, см

Габариты

Время, выраженное в тактах, которое проходит от запроса данных процессором до достижения первой ячейки с этими данными. Считается, что чем меньше это число, тем лучше.

CAS Latency (CL)

Схема таймингов выглядит как CL-tRCD-tRP и означает время, за которое выполняются основные операции работы памяти. Тайминг означает минимальное время, за которое совершается та или иная операция. Чем оно меньше, тем лучше, однако на самом деле быстродействие зависит от тактовой частоты.

Схема таймингов памяти

Задержка между идентификацией адреса строки ячейки памяти RAS и идентификацией адреса столбца CAS. Считается, что чем меньше это число, тем лучше.

RAS to CAS Delay (tRCD)

Минимальное время, за которое накапливается заряд для подачи сигнала иницализации следующей строки. Считается, что чем меньше это число, тем лучше.